Mạch được trình bày ở hình trên minh hoạ cho ta thấy rõ điều này:

Khi xung ngược được tạo ra vì đây là một xung âm nên nó dẽ dàng đi qua diode D₂ để đưa về cho cực Base của Q1 với cường độ dòng điện âm cũng như điện áp âm đặt vào Base rất lớn làm cho Q1 bị khoá ngay lập tức.

Các đồ thị trên đây mô tả cho ta thấy rõ điều này: Cường độ dòng điện I_B của transistor Q1 được tạo bởi ba dòng điện bao gồm dòng một chiều định thiên ban đầu là I_DC do điện trở R₁ cung cấp, dòng xoay chiều được phản hồi từ cuộn L₂ thông qua tụ C₁ là I_C1 và một dòng bán dẫn được chỉnh lưu một nửa chu kỳ của dòng xoay chiều phản hồi từ cuộn L₂ bởi diode D₂ là I_D2. Vì dòng qua diode D₂ chỉ được cho qua trong nửa chu kỳ âm nên lúc này dòng điện tổng hợp theo giá trị tức thời được tạo bởi ba dòng nói trên được xác định bởi hệ thức dưới đây:

i_B = I_DC + I_C1 + I_D2

= I_DC + I_0C1.sinwt + I_0D2.sinvt

Trong đó, w = 2p.f là tần số góc của dòng xoay chiều do mạch dao động tạo ra.

v cũng được gọi là tần số góc của dòng xoay chiều do mạch dao động tạo ra nhưng chỉ được lưu ý là nó chỉ được xác định bởi pha của dòng điện sao cho:

v = w.t với mọi giá trị của t sao cho k. p <= w.t <= 2k.p

Hệ thức trên được gọi là hệ thức triệt xung ngược bằng xung hồi tiếp âm qua diode D₂. Dòng I_D2 chính là dòng được mô tả phía dưới nửa âm của đặc tuyến dòng điện (nửa chu kỳ âm được tô đậm).

Nghĩa là chỉ với nửa chu kỳ âm thì dòng điện I_D2 mới được xác định. Khi đó, ta có thể mô tả quá trình biến đổi biên dạng của xung dao động do mạch nói trên tạo ra như sau (ta hãy giả sử là mạch dao động có thể tạo ra các xung dao động hình sin như mô tả trên). Trên thực tế, để có thể tạo ra được các dao động hình sin thì mạch dao động cần phải được thiết kế theo đúng các nguyên tắc của một mạch dao động tuyến tính (được trình bày trong giáo trình Vô tuyến điện tử, trong giáo trình này không đề cập đến), còn đối với các mạch dao động bất kỳ thì thực chất không bao giờ tạo ra các hình sin mà luôn có dạng phi sin như được mô tả dưới đây:

Ta hãy lý luận rằng, khi cường độ dòng điện đang tăng mạnh (trong khoảng tuyến tính được xác định giữa hai điểm phi tuyến và điểm bão hoà) thì trong khoảng này tốc độ biến thiên của di /dt rất lớn nên suất điện động tự cảm cũng sinh ra rất mạnh để chống lại sự tăng dòng mà làm cho biên độ của điện áp ra trên cuộn sơ cấp L₁ cũng như cường độ dòng điện được tăng dần theo hệ thức dưới đây:

u = V_CC + E = V_CC – L₁.di/dt

Trong đó, i: Cường độ dòng điện tức thời do nguồn cung cấp qua mạch gồm Q1 và L₁ (được xác định bởi dòng I_C qua transistor Q1).

Cho đến khi cường độ I_C của transistor đạt tới bão hoà thì tốc độ biến thiên của cường độ dòng điện là di /dt = 0 (bị triệt tiêu) thì khi đó biên độ điện áp trên L₁ mới có thể đạt cực đại bằng U ⁺₀ (do có sự hỗ trợ của suất điện động cảm ứng nên giá trị biên độ cực đại lớn hơn so với điện áp cung cấp V_CC, trong thực tế U ⁺₀ lớn khoảng gấp rưỡi đến gấp đôi V_CC).

Giả sử rằng, trong quá trình mà dòng điện I_C tăng như đã được mô tả theo hình trên thì nó sẽ gây ra một từ thông biến thiên qua mạch từ của biến áp và tạo ra trên L₂ một suất điện động cảm ứng E_L2 có phase chậm hơn so với phase của cuộn sơ cấp L₁.

Suất điện động động E_L2 cũng tăng dần và được hồi tiếp về cho Base của Q1 để tiếp tục làm cho cường độ dòng điện I_C cho đến lúc đạt giá trị bão hoà. Khi I_C bão hoà thì từ thông không biến thiên nên E_L2 sẽ bị triệt tiêu. Nhưng do E_L2 chậm phase hơn so với suất điện động E_L1 của cuộn L₁ (vào khoảng 90⁰) nên sau khi từ thông ngừng biến thiên một khoảng thời gian đúng bằng độ trễ phase thì E_L2 mới thực sự bị triệt tiêu hoàn toàn. Nhờ sự trễ phase này mà dòng I_C vẫn được duy trì tại điểm bão hoà một khoảng thời gian đúng bằng độ trễ phase Y nói trên.

Ta gọi trạng thái nói trên (khoảng thờigian I_C đạt bão hoà kéo dài) là trạng thái quá độ của mạch dao động, khoảng này có thời gian được xác định là Y: Trong khoảng thời gian này, cường độ I_C gần như không đổi (trên thực tế, trong khoảng này I_C cũng bắt đầu giảm dần vì E_L2 cũng bắt đầu bị triệt tiêu dần).

Khi suất điện động E_L2 bắt đầu bị triệt tiêu thì điện áp phản hồi về cho mạch dao động (về Base của Q1 cũng sẽ bị giảm) nên nó sẽ làm cho cường độ dòng điện I_B bị giảm đi mà sẽ làm cho I_C cũng bị giảm theo. Khi I_C giảm thì nó sẽ lại làm cho từ trường biến thiên theo chiều ngược lại so với lúc trước để tạo ra suất điện động cảm ứng trên L₂ hoàn toàn ngược chiều (bắt đầu tạo ra xung âm) so với chiềucủa suất điện động cảm ứng lúc trước. Nhưng do sự trễ phase giữa suất điện động E_L1 của L₁ và E_L2 của L₂ nên khi I_C bắt đầu giảm thì thực tế E_L2 vẫn chưa đổi chiều mà chỉ mới đang bắt đầu giảm dần.

Sự giảm dần của E_L2 lại làm cho I_C giảm dần và có thể tạo ra biên dạng của dòng điện được sin hoá (được biến thiên theo hình sin). Nhưng khi giảm về dưới điểm phi tuyến thì do khác nhau về tốc độ biến thiên nên lúc này cường độ dòng điện I_C sẽ bị giảm nhanh hơn (theo đặc tuyến của transistor được mô tả ở hình trên thì ta dễ dàng chứng minh được rằng nếu khi dòng I_B bắt đầu tăng từ 0 cho đến điểm phi tuyến thì tại trong khoảng này I_C sẽ tăng lên rất chậm nhưng I_B khi bắt đầu giảm  từ trên điểm phi tuyến xuống ngang qua dưới điểm phi tuyến thì trong khoảng này I_C sẽ bị suy giảm nhanh hơn) và sẽ làm cho E_L2 bị biến thành xung âm tuyệt đối, đồ thì của điện áp trên L₁ sẽ vượt qua dưới điểm 0 của hệ trục toạ độ theo trục tung.

Sau đó, vì I _B vẫn tiếp tục giảm do E_L2 tiếp tục giảm và làm cho điện áp trên L₁ tiếp tục giảm xuống rất thấp và sẽ đạt tới biên độ cực tiểu U ^-₀.

Điện áp trên L₁ chỉ đạt tới biên độ cực tiểu U ^-_0L1 khi cường độ I_B giảm về 0 hoàn toàn và lúc đó do cường độ I_C bị triệt tiêu nên sự biến thiên của từ thông cũng bị triệt tiêu và làm cho dòng phản hồi do cuộn L₂ tạo ra cũng bị triệt tiêu thì I_B lại tăng lên do dòng phân cực của R₁ (chú ý rằngc, ngay trước khi I_B bị triệt tiêu – bằng 0 tuyệt đối thì lúc đó nó sẽ tạo nên một biến thiên di /dt cực mạnh – vì lúc đó, từ một giá trị cực nhỏ của I_B là một epsilon e đi về 0 trong một khoảng thời gian cũng cực nhỏ là t thì tỷ số di /dt »  e/t sẽ cực lớn – mà làm cho suất điện động trên L₁ và cả trên L₂ đạt tới cực tiểu của biên âm tương ứng với mỗi cuộn là U ^-_0L1 và U ^-_0L2).

Khi I_B bắt đầu tăng từ 0 đến điểm phi tuyến thì tại đây mặc dù tốc độ gia tăng của I_C so với tốc độ gia tăng của I_B rất nhỏ nhưng do có sự hỗ trợ của xung ngược có tốc độ biến thiên rất mạnh (vì xung ngược chỉ là xung thụ động nên khi bị mất năng lượng từ bên ngoài cung cấp thì nó bị triệt tiêu rất nhanh và làm cho nó nhanh chóng tăng từ giá trị biên âm cực tiểu U ^-₀ về 0 để làm cho xung ngượcbị triệt tiêu hoàn toàn – nghĩa là nếu đối với xung thuận thì khi bị triệt tiêu nó sẽ giảm từ biên dương cực đại U ⁺₀ về 0 còn đối với xung âm thì ngược lại khi bị triệt tiêu sẽ tăng từ biên âm cực tiểu U ^-₀ về 0) và tốc độ tăng nhanh của xung âm từ biên âm về 0 sẽ sinh ra dòng phản hồi về co Base càng mạnh nên nó lại làm cho I_C càng tăng mạnh để tạo thành một sườn xung âm tăng lên rất dốc như mô tả ở hình trên.

Khi biên độ xung đạt tới 0 thì cũng là lúc mà I_C bắt đầu vượt qua điểm phi tuyến để “đi” vào khoảng tuyến tính thì sự thay đổi tốc độ biến thiên của di /dt bắt đầu xảy ra. Đây chính là “bước ngoặt lịch sử” làm cho độ dốc của đặc tuyến điện áp trên L₁ cũng như L₂ có sự thay đổi khác biệt (chú ý rằng suất điện động sinh ra trong L₂ luôn lặp lại sự biến thiên của suất điện động được tạo bởi L₁ tuy nhiên sẽ chậm phase hơn so với của L₁ vào khoảng 90⁰): Lúc này xung dương bắt đầu được hình thành và vì nó được tạo bởi dòng tích cực của nguồn cung cấp nên sự đối kháng của L₁ và L₂ cũng bắt đầu được hình thành như được mô tả ở phần trên (L₁ và L₂ bắt đầu hình thành cảm kháng để chống lại sự tăng dòng tích cực của nguồn cung cấp qua nó).

Và quá trình dao động duy trì được hình thành nhờ sự tiếp diễn liên tục của các giai đoạn tăng và giảm của điện áp trên các cuộn L₁ và L₂ như đã mô tả theo đúng các trình tự nói trên.

Vấn đề đáng nói ở đây là cần phải làm triệt tiêu xung ngược tới mức tối thiểu có thể đạt được. Tại sao phải triệt tiêu xung ngược? Là bởi vì xung ngược được tạo ra bởi suất điện động cảm ứng và chỉ có tính thụ động (không được sinh ra bởi dòng tích cực của nguồn cung cấp V_CC) vì thế nó không đối xứng với xung thuận và có năng lượng trung bình bé hơn xung thuận (vì có độ rộng xung ngắn hơn nên có năng lượng trung bình nhỏ hơn và khó ổn định được biên độ so với nếu chỉ sử dụng xung thuận).

Để làm được điều này cần phải hỗ trợ bằng diode D₂ như được trình bày ở phần trên. Ta hãy quay trở lại với hệ thức triệt xung ngược bằng xung hồi tiếp âm qua diode D₂ như đã trình bày trên để làm sáng tỏ thêm vấn đề:

Thông qua đồ thị mô tả ở trên, nếu không ưu tiên phản hồi xung âm trở về cho Base để làm cho I_B sớm bị triệt tiêu thì khoảng thời gian mà đặc tuyến điện áp bị suy giảm về âm để tạo thành xung ngược sẽ bị kéo dài và làm cho chu kỳ dao động sẽ bị dài ra.

i_B = I_DC + I_C1 + I_D2

= I_DC + I_0C1.sinwt + I_0D2.sinvt

Khi xung âm được ưu tiên hồi tiếp về mạnh hơn do dòng I_0D2 thì khi biên độ điện áp của xung sẽ nhanh bị giảm xuống dưới 0 và càng làm cho I_B sớm bị giảm xuống dưới điểm phi tuyến cũng như sớm bị triệt tiêu nên xung âm sẽ sớm đạt được giá trị cực trị (biên âm cực tiểu Ub ^‑₀).

Vì thế xung âm bị cắt ngắn, về mặt lý thuyết, người ta mong muốn xung âm càng ngắn càng tốt. Nhưng trên thực tế không thể triệt tiêu một cách tuyệt đối sự tồn tại của xung âm vì khi cường độ dòng điện qua các mạch có cảm kháng bị giảm thì bao giờ xung âm cũng được sinh ra để chống lại sự suy giảm cường độ dòng điện đó. Mặt khác, nếu xung âm càng ngắn thì suất điện động tự cảm của nó sinh ra càng cao (vì nếu xung âm càng ngắn thì tốc độ biến thiên cường độ dòng điện sẽ càng lớn) nên khả năng gây nhiễu của nó càng mạnh và hài bậc cao của nó càng nhiều mà nó có thể làm đánh thủng các tiếp giáp bán dẫn của các linh kiện bán dẫn như transistor và các diode, thậm chí có thể đánh xuyên giữa các vòng dây của biến áp làm hỏng các biến áp…

Vậy nên, người ta vẫn phải chấp nhận sự tồn tại của xung âm trong một khoảng thời gian nhất định. Để định thời gian tồn tại xung âm, ta phải ghép thêm một điện trở định thời cho nó là R₂. Điện trở R₂ phối hợp với hệ số tự cảm L của cuộn L₂ (đoạn mạch giữa hai điểm 3 và 4 của cuộn L₂) để tạo thành một hằng số thời gian là RL₂ cho xung âm (trên thực tế, thời gian của xung âm được xác định vào khoảng vài mS đến vài chục mS).

Mặt khác, vì xung ngược được kích về cực Base là rất lớn (khoảng 18 đến 30V) nên điện trở R₂ cũng có nhiệm vụ hạn chế biên độ kích thích cho cực Base của Q1 nhằm bảo vệ cho transistor không bị khoá tuyệt đối (không cho triệt tiêu xung ngược một cách tuyệt đối). 

Kích mở bão hoà sớm (blocking)

Triệt trạng thái quá độ Blocking

Bảo vệ transistor Blocking - Switching